Resistor不單獨(dú)用于芯片的ESD保護(hù)，它往往用于輔助的ESD保護(hù)，如芯片Input級(jí)保護(hù)和第二級(jí)保護(hù)之間的限流電阻。當(dāng)ESD電流過(guò)大，級(jí)ESD器件難以將電壓鉗位至安全區(qū)域時(shí)，第二級(jí)ESD器件的導(dǎo)通將使其與電阻分壓，從而進(jìn)一步降低進(jìn)入內(nèi)部電路的電壓。又如用于GG-NMOS的柵電阻，如圖6所示，NMOS的柵極通過(guò)一電阻接地，而非直接接地。如此一來(lái)，在NMOS漏端發(fā)生正向的ESD脈沖時(shí)，由于NMOS的漏一柵電容，會(huì)使得器件的柵極耦合出一正的電勢(shì)，該電勢(shì)會(huì)促使NMOS的溝道開(kāi)啟，從而起到降低NMOS在ESD應(yīng)力下觸發(fā)電壓的目的。ESD靜電保護(hù)元件可提供多種封裝形式。耳機(jī)接口ESD保護(hù)元件選型

國(guó)際電工委員會(huì)(Internationa1日ectrotechnicalCommission，IEC)制定了測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2來(lái)評(píng)價(jià)電子設(shè)備的ESD抗擾度等級(jí)。但人們?cè)谘芯快o電放電的危害時(shí)，主要關(guān)心的是靜電放電產(chǎn)生的注入電流對(duì)電火工品、電子器件、電子設(shè)備及其他一些靜電敏感系統(tǒng)的危害，忽視了靜電放電的電磁脈沖效應(yīng)，直到20世紀(jì)90年代初Wilson才提出ESD過(guò)程中產(chǎn)生的輻射場(chǎng)影響。IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)雖幾經(jīng)修改，規(guī)范了ESD模擬器對(duì)水平耦合板和垂直耦合板的放電方式，但沒(méi)有關(guān)于ESD輻射場(chǎng)的明確規(guī)定，對(duì)ESD模擬器也規(guī)定了放電電流的典型波形和4個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)參數(shù)。通常被測(cè)設(shè)備(equip—mentundertest，EUT)是易受電磁場(chǎng)影響的。許多學(xué)者在實(shí)際測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn)，由于ESD模擬器內(nèi)部繼電器與接地回路等因素的影響，符合IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)要求的不同END模擬器所得測(cè)試結(jié)果并不相同。江蘇耳機(jī)接口ESD保護(hù)元件原理ESD靜電保護(hù)元件具有單向和雙向之分。

ESD防護(hù)電路主要采用“過(guò)壓防護(hù)”的原理，通過(guò)隔離電路、箝位(限幅)電路、衰減電路、濾波電路等降低ESD沖擊電壓、限制脈沖電流的大小，使其降低到被保護(hù)器件可以承受的程度。ESD脈沖頻譜的高頻信號(hào)特征和高頻電路分布參數(shù)的嚴(yán)格約束使得在高頻電路中防護(hù)器件的可選擇性很小，在高頻電路中進(jìn)行ESD防護(hù)設(shè)計(jì)的難度增火。ESD脈沖具有持續(xù)時(shí)間短(ns~數(shù)百ns級(jí))，能量較低(微焦耳級(jí))的特征，頻譜分布在數(shù)百KHz到數(shù)GHz的范圍，其能量主要集中在數(shù)MHz到數(shù)百M(fèi)Hz的范圍內(nèi)，由于ESD的高頻、快速放電特性，其防護(hù)電路要求比一般的電浪涌防護(hù)電路具有更快的響應(yīng)速度和良好的高頻性能。

ESD是一種常見(jiàn)的近場(chǎng)危害源，可形成高電壓，強(qiáng)電場(chǎng)，瞬時(shí)大電流，并伴有強(qiáng)電磁輻射，形成靜電放電電磁脈沖?！る娏?gt;1A，·上升時(shí)間～15ns，衰減時(shí)間～150ns。ESD靜電放電的特點(diǎn)：靜電起電的常見(jiàn)原因是兩種材料的接觸和分離。經(jīng)常發(fā)生的靜電起電現(xiàn)象是固體間的摩擦起電現(xiàn)象。此外還有剝離起電、破裂起電、電解起電、壓電起電、熱電起電、感應(yīng)起電、吸附起電和噴電起電等。物體的靜電起電—放電一般具有高電位、強(qiáng)電場(chǎng)和寬帶電磁干擾等特點(diǎn)。硅基ESD靜電保護(hù)元件具有較低的鉗位電壓。

人體放電模型（HBM）是靜電放電（ESD）模型的一種，是分析電子元件對(duì)靜電放電耐受性特性時(shí)，常使用的模型。人體放電模型是模擬帶有靜電的人碰到電子元件時(shí)，在幾百納秒（ns）的時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生數(shù)安培的瞬間放電電流。對(duì)2千伏的ESD放電電壓而言，其瞬間放電電流的尖峰值大約是1.33安培。1.HBM：HumanBodyModel，人體模型：該模型表征人體帶電接觸器件放電，Rb為等效人體電阻，Cb為等效人體電容。等效電路如下圖。圖中同時(shí)給出了器件HBM模型的ESD等級(jí)。ESD靜電保護(hù)元件一般并聯(lián)在電流中使用。耳機(jī)接口ESD保護(hù)元件選型

多層壓敏電阻作為ESD靜電保護(hù)元件，具有較高的成本優(yōu)勢(shì)。耳機(jī)接口ESD保護(hù)元件選型

降低防護(hù)器件結(jié)電容的設(shè)計(jì)方法當(dāng)防護(hù)器件的并聯(lián)結(jié)電容較大時(shí)，將對(duì)高頻信號(hào)產(chǎn)生“衰耗”作用，此時(shí)需要改進(jìn)防護(hù)電路的設(shè)計(jì)，降低結(jié)電容對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響。常用的設(shè)計(jì)方法有;A二極管偏置法二極管結(jié)電容隨反向偏升高而降低，對(duì)防護(hù)一極管施加話當(dāng)?shù)姆聪蚱珘嚎蛇m用更高頻率電路。B.二極管串聯(lián)法一-兩個(gè)相同防護(hù)二極管串聯(lián)可使接入電容減小一半。C阻抗匹配法一-當(dāng)防護(hù)二極管的結(jié)電容太大，可以對(duì)防護(hù)器件并聯(lián)小電感，使之和二極管結(jié)電容并聯(lián)諧振在工作信號(hào)頻率點(diǎn)，這時(shí)保護(hù)電路對(duì)工作頻率呈高阻抗，從而減小對(duì)高頻電路四配的影響，并有利于加強(qiáng)防護(hù)。耳機(jī)接口ESD保護(hù)元件選型

上海來(lái)明電子有限公司是以TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售、服務(wù)為一體的一般項(xiàng)目: 電子產(chǎn)品、電子元器件、電動(dòng)工具、機(jī)電設(shè)備、儀器儀表、通訊器材(除衛(wèi)星電視廣播地面接收設(shè)施)、音響設(shè)備及器材、金屬材料、日用百貨的銷(xiāo)售，電子元器件的制造。加工(以上限分支機(jī)構(gòu)經(jīng)營(yíng))。(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外。憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng))許可項(xiàng)目: 貨物進(jìn)出口;技術(shù)進(jìn)出口:進(jìn)出口代理。(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門(mén)批準(zhǔn)后方可開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)，具體經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目以相關(guān)部門(mén)批準(zhǔn)文件或許可證件為準(zhǔn))企業(yè)，公司成立于2010-08-11，地址在靈山路1000弄2號(hào)808。至創(chuàng)始至今，公司已經(jīng)頗有規(guī)模。公司具有TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等多種產(chǎn)品，根據(jù)客戶不同的需求，提供不同類(lèi)型的產(chǎn)品。公司擁有一批熱情敬業(yè)、經(jīng)驗(yàn)豐富的服務(wù)團(tuán)隊(duì)，為客戶提供服務(wù)。晶導(dǎo)微電子,意昇,美碩,成鎬集中了一批經(jīng)驗(yàn)豐富的技術(shù)及管理專(zhuān)業(yè)人才，能為客戶提供良好的售前、售中及售后服務(wù)，并能根據(jù)用戶需求，定制產(chǎn)品和配套整體解決方案。我們本著客戶滿意的原則為客戶提供TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容產(chǎn)品售前服務(wù)，為客戶提供周到的售后服務(wù)。價(jià)格低廉優(yōu)惠，服務(wù)周到，歡迎您的來(lái)電！

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